廢氣處理設備的種類
廢氣處理設備的種類分為吸收設(shè)備、吸附設備、催化燃燒設備、等離子治理設備。下麵源和小編針對廢氣處理設備的種類為大家一一介紹。
吸收(shōu)設備
吸(xī)收法采用低揮發或不揮發性溶劑對VOCs進行吸收,再利用VOCs和吸收劑(jì)物理性質的差異進行分(fèn)離。
含VOCs的氣體自吸收塔底部進入塔內(nèi),在(zài)上(shàng)升(shēng)過程中與來自塔頂的吸收劑逆流接觸,淨化後的氣(qì)體由塔頂(dǐng)排出。吸收了VOCs的吸收劑通過熱交換器後,進入汽提塔頂部,在溫度(dù)高於吸收溫度(dù)或壓力低於吸收壓力的條件下解吸。解吸後的吸收(shōu)劑經過溶(róng)劑冷凝(níng)器冷凝後回(huí)到吸收塔。解吸出的VOCs氣體經過冷凝器、氣液分離器後以較純的VOCs氣體離開汽提塔,被回收利用。該工藝適合於VOCs濃度較高(gāo)、溫度較低的(de)氣體淨化,其他(tā)情況下(xià)需要作相應的(de)工藝調整。
吸附設備
在用多孔性固體物質處理流體混合物時,流體中的某一組分或某些組分可被吸表麵並濃集其上,此(cǐ)現(xiàn)象稱為吸附。吸附處理廢(fèi)氣時,吸附的(de)對象是氣態汙染物,氣固吸附(fù)。被吸附的氣體組分稱為吸(xī)附質,多孔固體物質(zhì)稱為吸附劑。
固體表麵吸附了吸附質後,一部被吸附的吸附(fù)質可從吸附劑表麵脫離,此現附。而當吸附進行一段時間後,由於表麵吸附(fù)質的濃集,使其吸附能力明顯下降而吸附淨化的要求,此時需要采用一定(dìng)的(de)措施使吸附劑上已吸附的吸附質脫附,以協的吸附能力,這個(gè)過程稱為吸(xī)附劑的再生。因(yīn)此在實際吸附工程中,正是(shì)利用吸附一再生一再吸(xī)附的循(xún)環過程,達到除去廢氣中汙(wū)染物質並回收廢氣中有用(yòng)組(zǔ)分。
催(cuī)化燃燒設備
燃燒法用於處理高濃(nóng)度(dù)Voc與有惡臭的化合物很有效,其原理(lǐ)是用(yòng)過量(liàng)的空氣使這些雜質燃燒,大多數生成(chéng)二氧化碳和水蒸氣,可以排放到大氣中。但當處理(lǐ)含氯和含硫的有機化(huà)合物時,燃燒生成產物中HCl或SO2,需要對燃燒後氣(qì)體(tǐ)進一(yī)步處理。
等離子(zǐ)治理設備
等離子體就是處(chù)於電離狀態的(de)氣體,其英(yīng)文名稱是plasma,它是由美國科學 muir,於1927年在研究低氣壓下汞蒸氣中放電現(xiàn)象時命(mìng)名的。等離(lí)子體由大量(liàng)的子、中性原子、激發態原子、光子和自由基等組(zǔ)成,但電子和正離子的電荷數(shù)必(bì)須體表現出(chū)電中性,這就是“等(děng)離子體”的含義。等離子(zǐ)體具(jù)有導電和受電磁影響的許多方麵與(yǔ)固體、液體和氣體不同,因此又有人把它稱為物質的第四種狀態。根(gēn)據狀(zhuàng)態、溫度和離子密度,等離子體(tǐ)通常可以分為高(gāo)溫等離子(zǐ)體和低溫等離子體(包子(zǐ)體和冷等離子體)。其中高溫等離子體的電(diàn)離度接近1,各種(zhǒng)粒子溫度幾乎相同係處於熱力學平衡狀態,它主要應用在受控熱核反應(yīng)研究方麵。而(ér)低溫等離子體則學非平衡狀態,各種粒子溫(wēn)度並不相同。其中電子(zǐ)溫度( Te)≥離子溫度(Ti),可達104K以上,而其離子和中性粒子的溫度卻可低到300~500K。一般氣體放電子體屬於低溫等離子體。
截至2013年,對低溫等離子體的作(zuò)用機理研究認為(wéi)是粒子非彈性碰撞的結果。低溫等離富含電子、離(lí)子、自由基和激發態分子,其中高能電子與氣體分子(原子)發生撞(zhuàng),將能量轉換成基態分子(zǐ)(原子)的內能,發生激發、離解和電離等一係列過秸處於活化狀態。一方麵打開了氣體分子鍵,生成一些單分子(zǐ)和固體微(wēi)粒;另一(yī)力生.OH、H2O2.等自由基和氧化性極強的O3,在這一過程中高能電子起決定性作用,離子的熱運動隻有副作用。常壓下(xià),氣體放電產生的高度非(fēi)平衡等離子體中電子溫層氏度)遠高於氣體溫度(室溫100℃左右)。在非平衡等離(lí)子體中可(kě)能發生各(gè)種類型的化學反應,主要決定於電子的平均能量、電子密度、氣體溫度、有害氣體分(fèn)子濃度和≥氣體成分。這為一些需要很大活化能的反應如大氣中難降解汙染物的去除提供了另外也可以對低濃度、高(gāo)流速、大風量的含揮(huī)發性有機汙染(rǎn)物和含硫類汙染物(wù)等進行處理。
常(cháng)見的產生等離子體的方法是氣體放(fàng)電,所謂氣體放電是指通過某種機製(zhì)使(shǐ)一電(diàn)子從(cóng)氣體原子或分子中電離(lí)出來,形成的氣體(tǐ)媒質稱為電離氣體,如(rú)果(guǒ)電離氣由外電場產(chǎn)生並形成傳導電流,這種現象稱為氣體放電。根據放電產生的機理、氣體的(de)壓j源性質以及電極的幾何形狀、氣體放電等離子體主(zhǔ)要分為以下幾種形式:①輝光放電;③介質阻擋放電;④射頻放電;⑤微(wēi)波放電。無論哪(nǎ)一種(zhǒng)形式產生的等離子體,都需要高壓放電。容易打火產生危(wēi)險。由於對諸如氣態汙染物的治理,一般要求在常壓(yā)下進行。
光催化和生物淨化設備
光催化是常溫深度反(fǎn)應(yīng)技(jì)術。光(guāng)催化氧(yǎng)化可在室溫下將水、空氣和土壤中(zhōng)有機汙染物(wù)完全氧化成無毒無害的產(chǎn)物,而傳統(tǒng)的高溫焚燒技術則需(xū)要(yào)在極高的溫度下才可將汙染物摧毀,即使(shǐ)用常規的催化、氧化方法亦需要幾百度的(de)高溫。
從理論上講,隻要半導體吸(xī)收的光能不小於(yú)其帶隙能,就足以激發產生電子和空穴(xué),該半導體就有可能用作光催化劑。常見的單一化合物光催(cuī)化劑多為金屬氧化物或硫化物,如(rú) Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催(cuī)化劑各自對特定反應(yīng)有突出優點,具體研究中可根據需要(yào)選用,如CdS半(bàn)導體帶隙(xì)能(néng)較小(xiǎo),跟太陽光譜(pǔ)中的(de)近紫外光(guāng)段有(yǒu)較好的匹配性(xìng)能,可以很好地利用自然光能,但(dàn)它容易發生(shēng)光腐蝕,使用壽命有限。相對而言,Ti02的綜合性能較好,是最廣泛使用和研究的單一化合物光催化劑。
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